![模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/808/47378808/b_47378808.jpg)
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2.6 温度依赖性
在上一节介绍了电流密度J是反向饱和电流密度 Js的直接函数,与少数载流子的浓度 npo和pno有关,反过来也与成比例,而n i是温度的函数。因此,可以得到:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/40_5.jpg?sign=1739241553-D4SJ89bmc3VGXvqOFByWWz34uuIgawi8-0-b3131a1534a373fe86580f0078ab58f7)
式中,Eg为电子能级,大小为1.12eV。JS1和JS2与温度T1和T2的关系:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/40_6.jpg?sign=1739241553-UKvosVrpsbfndB6HGqtlzJrK18me3Bix-0-6ce9a02d6dab02acda51ed8440a36b3b)
因此,反向饱和电流密度Js对温度敏感,且随温度的增加而迅速增加,如图2.13 (a) 所示。正向电流J是JS和 (EVF/kT) 的函数,也是温度 T 的函数。随着温度的升高,对于同样大小的正向电流时,压降减少,如图2.13 (b) 所示。对于恒定的正向电压,正向工作电流随温度升高而增加。
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/40_7.jpg?sign=1739241553-SaTQ1XAWkENqJiTFt0tofR5gAIwvsOmr-0-8bd641f26a22c6ae26da5a1395506a5c)
图2.13 PN结的温度效应